Memoria no volátil con usos de en pequeños dispositivos basados en el uso de baterías como teléfonos móviles, PDA, pequeños electrodomésticos, cámaras de fotos digitales, reproductores portátiles de audio o simples dispositivos de almacenamiento portátiles. Con capacidades de almacenamiento de 64MB hasta 32GB, basadas en NOR y NAND.

Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos los más rápidos y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la CPU. La FPMRAM se basa en que se supone que el siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila que el anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso.

Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos). Muy común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.

Velocidad de transferencia 1.06 GB/s por canal, que hacen en total 2.12 GB/s @ 266MHz

emoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior. Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns.

Son módulos compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB. No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El número simplemente señala la velocidad.

Velocidad de transferencia Tecnología de memoria RAM DDR2 que trabaja a una frecuencia de 667 MHz con un bus de 166MHz y ofrece una tasa de transferencia máxima de 5.3 GB/s

Velocidad de transferencia 14.40 GB/s @ 1800 MHz

Velocidad de transferencia de la información 12.80 GB/s @ 1600 MHz

Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el búffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

Evoluciona de la FPM. Permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo (haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos). Mientras que la memoria tipo FPM sólo podía acceder a un solo byte (una instrucción o valor) de información de cada vez, la memoria EDO permite mover un bloque completo de memoria a la caché interna del procesador para un acceso más rápido por parte de éste. La estándar se encontraba con refrescos de 70, 60 ó 50 ns. Se instala sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.

MMX agregó 8 nuevos registros a la arquitectura, conocidos como MM0 al MM7 (en adelante llamados MMn). En realidad, estos nuevos registros son meros alias de los registros de la pila de la FPU x87. Por ello cualquier cosa que se haga con la pila de la FPU afecta a los registros MMX. A diferencia de la pila de coma flotante, los registros MMn son fijos en vez de relativos, por lo que pueden accederse aleatoriamente.